TY - JOUR A1 - Daubriac, Richard A1 - Scheid, Emmanuel A1 - Rizk, Hiba A1 - Monflier, Richard A1 - Joblot, Sylvain A1 - Beneyton, Rémi A1 - Acosta Alba, Pablo A1 - Kerdilès, Sébastien A1 - Cristiano, Filadelfo T1 - A differential Hall effect measurement method with sub-nanometre resolution for active dopant concentration profiling in ultrathin doped Si1−xGex and Si layers JF - Beilstein Journal of Nanotechnology PY - 2018/// VL - 9 SP - 1926 EP - 1939 SN - 2190-4286 DO - 10.3762/bjnano.9.184 PB - Beilstein-Institut JA - Beilstein J. Nanotechnol. UR - https://doi.org/10.3762/bjnano.9.184 KW - carrier mobility KW - contact resistance KW - differential Hall effect KW - dopant activation KW - fully depleted silicon on insulator (FDSOI) KW - laser annealing KW - sub-nanometre resolution N2 - In this paper, we present an enhanced differential Hall effect measurement method (DHE) for ultrathin Si and SiGe layers for the investigation of dopant activation in the surface region with sub-nanometre resolution. In the case of SiGe, which constitutes the most challenging process, we show the reliability of the SC1 chemical solution (NH4OH/H2O2/H2O) with its slow etch rate, stoichiometry conservation and low roughness generation. The reliability of a complete DHE procedure, with an etching step as small as 0.5 nm, is demonstrated on a dedicated 20 nm thick SiGe test structure fabricated by CVD and uniformly doped in situ during growth. The developed method is finally applied to the investigation of dopant activation achieved by advanced annealing methods (including millisecond and nanosecond laser annealing) in two material systems: 6 nm thick SiGeOI and 11 nm thick SOI. In both cases, DHE is shown to be a uniquely sensitive characterisation technique for a detailed investigation of dopant activation in ultrashallow layers, providing sub-nanometre resolution for both dopant concentration and carrier mobility depth profiles. ER - TY - JOUR AU - Doris, B. AU - DeSalvo, B. AU - Cheng, K. AU - Morin, P. AU - Vinet, M. JF - Solid-State Electron. PY - 2016/// VL - 117 SP - 37 EP - 59 DO - 10.1016/j.sse.2015.11.006 ER - TY - CHAP AU - James, D. T2 - Moore's Law Continues into the 1x-nm Era, Tainan, Taiwan, 26.9.2016-30.9.2016 T1 - 2016 21st International Conference on Ion Implantation Technology (IIT) DO - 10.1109/IIT.2016.7882895 ER - TY - JOUR AU - Larrieu, G. AU - Han, X.-L. JF - Nanoscale PY - 2013/// VL - 5 SP - 2437 EP - 2441 DO - 10.1039/c3nr33738c ER - TY - CHAP AU - Batude, P. AU - Vinet, M. AU - Xu, C. AU - Previtali, B. AU - Tabone, C. AU - Le Royer, C. AU - Sanchez, L. AU - Baud, L. AU - Brunet, L. AU - Toffoli, A. AU - Alain, F. AU - Lafond, D. AU - Aussenac, F. AU - Thomas, O. AU - Poiroux, T. AU - Faynot, O. T2 - Demonstration of low temperature 3D sequential FDSOI integration down to 50 nm gate length, Honolulu, HI, U.S.A., 14.6.2011-16.6.2011 T1 - 2011 Symposium on VLSI Technology (VLSIT) – Digest of Technical Papers PY - 2011/// SP - 158 EP - 159 PB - IEEE Publishing CY - Piscataway, NJ, U.S.A. ER - TY - CHAP AU - Hutin, L. AU - Rozeau, O. AU - Carron, V. AU - Hartmann, J.-M. AU - Grenouillet, L. AU - Borrel, J. AU - Nemouchi, F. AU - Barraud, S. AU - Le Royer, C. AU - Morand, Y. AU - Plantier, C. AU - Batude, P. AU - Fenouillet-Béranger, C. AU - Boutry, H. AU - Ernst, T. AU - Vinet, M. T2 - Junction technology outlook for sub-28nm FDSOI CMOS, Shanghai, China, 18.5.2014-20.5.2014 T1 - 2014 International Workshop on Junction Technology (IWJT) DO - 10.1109/IWJT.2014.6842050 ER - TY - JOUR AU - Saraswat, K. C. AU - Shine, G. JF - ECS Trans. PY - 2016/// VL - 75 SP - 513 EP - 523 DO - 10.1149/07508.0513ecst ER - TY - JOUR AU - Colombeau, B. AU - Guo, B. AU - Gossman, H.-J. AU - Khaja, F. AU - Pradhan, N. AU - Waite, A. AU - Rao, K. V. AU - Thomidis, C. AU - Shim, K.-H. AU - Henry, T. AU - Variam, N. JF - Phys. Status Solidi A PY - 2014/// VL - 211 SP - 101 EP - 108 DO - 10.1002/pssa.201300169 ER - TY - CHAP AU - Schroder, D. K. T2 - Resistivity T1 - Semiconductor Material and Device Characterization PY - 2006/// SP - 29 EP - 34 PB - Wiley-Interscience CY - Hoboken, NJ, U.S.A. ER - TY - JOUR AU - Giannazzo, F. AU - Raineri, V. AU - La Magna, A. AU - Mirabella, S. AU - Impellizzeri, G. AU - Piro, A. M. AU - Priolo, F. AU - Napolitani, E. AU - Liotta, S. F. JF - J. Appl. Phys. PY - 2005/// VL - 97 SP - 014302 DO - 10.1063/1.1827342 ER - TY - JOUR AU - Giannazzo, F. AU - Raineri, V. AU - Mirabella, S. AU - Bruno, E. AU - Impellizzeri, G. AU - Priolo, F. JF - Mater. Sci. Eng., B PY - 2005/// VL - 124–125 SP - 54 EP - 61 DO - 10.1016/j.mseb.2005.08.076 ER - TY - JOUR AU - Eyben, P. AU - Janssens, T. AU - Vandervorst, W. JF - Mater. Sci. Eng., B PY - 2005/// VL - 124–125 SP - 45 EP - 53 DO - 10.1016/j.mseb.2005.08.049 ER - TY - JOUR AU - Vandervorst, W. AU - Fleischmann, C. AU - Bogdanowicz, J. AU - Franquet, A. AU - Celano, U. AU - Paredis, K. AU - Budrevich, A. JF - Mater. Sci. Semicond. Process. PY - 2017/// VL - 62 SP - 31 EP - 48 DO - 10.1016/j.mssp.2016.10.029 ER - TY - JOUR AU - Severac, F. AU - Cristiano, F. AU - Bedel-Pereira, E. AU - Fazzini, P.-F. AU - Boucher, J. AU - Lerch, W. AU - Hamm, S. JF - J. Appl. Phys. PY - 2010/// VL - 107 SP - 123711 DO - 10.1063/1.3446844 ER - TY - JOUR AU - Giannazzo, F. AU - Raineri, V. AU - Mirabella, S. 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T1 - Etude expérimentale de l’interdiffusion Ge-Si à partir de sources solides Germanium sur Silicium - Application à la formation de couches graduelles Si1-xGex pour les transistors pMOSFETs PY - 2008/// SP - 168 EP - 183 PB - University of Toulouse CY - Toulouse, France ER - TY - CHAP AU - Garrido, B. AU - Gessinn, F. AU - Prom, J. L. AU - Morante, J. R. AU - Samitier, J. AU - Sarrabayrousse, G. T2 - Silicon Surface Analysis and Very Thin Silicon Oxide Characterization after HF/Ethanol Preoxidation Silicon Cleaning T1 - The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface 2 PY - 1993/// SP - 215 EP - 222 DO - 10.1007/978-1-4899-1588-7_23 PB - Springer CY - Boston, MA, U.S.A. A2 - Deal, B. E. A2 - Helms, C. R. ER - TY - JOUR AU - Van der Pauw, L. J. JF - Philips Tech. Rev. PY - 1958/// VL - 20 SP - 220 EP - 224 ER - TY - JOUR AU - Haeusler, J. AU - Lippman, H. J. JF - Solid-State Electron. 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